Vishay SiR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 518 A 245 W, 8-Pin PowerPAK SO-8S
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.00057Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 30V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 153nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- PowerPAK SO-8S
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 518A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 245W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SiR
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 518A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Serie = SiR
Montageart = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.00057Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 245W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 2mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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