Vishay Silizium-Verbindung Einfach 300 mA 75 V Oberfläche SOD-80 2-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- Diodenkonfiguration
- Einfach
- Gehäusegröße
- SOD-80
- Höhe
- 3.7mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Maximale Spitzensperrwiederholspannung (Vrrm)
- 75V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 500mW
- Maximaler Durchlassstrom (If)
- 300mA
- Montageart
- Oberfläche
- Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm)
- 2A
- Pinanzahl
- 2
- Produkt Typ
- Silizium-Verbindung
- Spitzensperrverzögerungszeit (trr)
- 4ns
- Subtyp
- Siliziumverbindung
Produktbeschreibung
Epitaxiale planare Siliziumdioden Elektrische Daten sind identisch mit den Bauelementen 1N4148 bzw. 1N4448 QuadroMELF-Gehäuse ANWENDUNGEN: Extrem schnelles Schalten
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Schaltdioden
- GTIN
- 5059045802952
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