Vishay SIJH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 174 A 333 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 150V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.0041Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 14nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- PowerPAK (8x8L)
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 174A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 333W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SIJH
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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