Vishay SIJH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 277 A 333 W, 4-Pin 8x8L

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.00189Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

128nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

8x8L

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

277A

Maximale Betriebstemperatur

150°C