Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.158Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

36nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

19A