Vishay SIHB21N80AE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

800V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.205Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

48nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

17.4A