Vishay SiH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 42 A 236 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.049Ω

Durchlassspannung (Vf)

600V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

54nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

42A