Vishay SIDR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 227 A 150 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.00174Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 102nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- PowerPAK SO-8DC
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 227A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 150W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SIDR
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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