Vishay SI8818EDB N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 2.2 A 0.9 W, 4-Pin PowerPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.143Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 2.4nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 12V
- Gehäusegröße
- PowerPAK
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 2.2A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 0.9W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- SI8818EDB
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 2.2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = PowerPAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.143Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 2.4nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 0.8mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET