Vishay SI8802DB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 3.5 A 0.6 W, 4-Pin MICRO FOOT

Name: Vishay SI8802DB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 3.5 A 0.6 W, 4-Pin MICRO FOOT
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SI8802DB-T2-E1

Produkt-Nr.: P-DP8VTC-DRW5LC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 8V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 54mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 4.3nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 5V
Gehäusegröße: MICRO FOOT
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 3.5A
Maximale Verlustleistung (Pd): 0.6W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Produkt Typ: MOSFET
Serie: SI8802DB

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3.5A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 8V
Gehäusegröße = MICRO FOOT
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 54mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 4.3nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 0.8mm
Automobilstandard = Nein