Vishay SI5442DU Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 25 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.0135Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

16.6nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

8V

Gehäusegröße

PowerPAK ChipFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

25A

Maximale Betriebstemperatur

+150°C