Vishay Si4431CDY Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 4.2 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

49mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-0.71V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

25nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-20, +20V

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

7.2A