Vishay Si4178DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 5 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

33mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.85V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7.5nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

25V

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

12A