Vishay Si4134DY N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14 A 5 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.014Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7.3nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-20, +20V

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

14A