Vishay Si4134DY N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14 A 5 W, 8-Pin SOIC
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.014Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 7.3nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- -20, +20V
- Gehäusegröße
- SOIC
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 14A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- Si4134DY
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 14A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.014Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 5mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040910690
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