Vishay Si3476DV N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 4.6 A 3.6 W, 6-Pin SOT-23
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.093Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 4.9nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4.6A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 3.6W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- Si3476DV
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4.6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = SOT-23
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.093Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 4.9nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3.1mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040665095
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