Vishay Si3433CDV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6 A 3.3 W, 6-Pin TSOP
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 60mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -0.8V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 30nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- -8, +8V
- Gehäusegröße
- TSOP
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 6A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 3.3W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- Si3433CDV
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040791961
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