Vishay SI3122DV N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 1.95 A 1.34 W, 6-Pin PowerPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.16Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 2.9nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- PowerPAK
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 1.95A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.34W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- SI3122DV
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 1.95A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = PowerPAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.160Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 1.2V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3.1mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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