Vishay N-Channel 100 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 150 A 278 W, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 4.5mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.8V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 84nC
- Gehäusegröße
- TO-220
- Höhe
- 4.65mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 150A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 278W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- N-Channel 100 V
Produktbeschreibung
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.TrenchFET Leistungs-MOSFET Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C. Sehr niedriger Qgd verringert den Leistungsverlust durch V(Plateau) 100 % Rg- und UIS-geprüft
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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