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Vishay N-Channel 100 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 150 A 278 W, 3-Pin TO-220

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SUP70042E-GE3

Produkt-Nr.: P-DRDKCC-DRSN25

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
4.5mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.8V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
84nC
Gehäusegröße
TO-220
Höhe
4.65mm
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
150A
Maximale Betriebstemperatur
175°C

Produktbeschreibung

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.TrenchFET Leistungs-MOSFET Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C. Sehr niedriger Qgd verringert den Leistungsverlust durch V(Plateau) 100 % Rg- und UIS-geprüft

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
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