Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.1 A 2.4 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

150mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

14.5nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

3.1A

Maximale Betriebstemperatur

175°C