Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 2.3 A 1.4 W, 6-Pin TSOP

Name: Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 2.3 A 1.4 W, 6-Pin TSOP
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SI3993CDV-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DP8CR2-DR3GC8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 188mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 5.2nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): -20, +20V
Gehäusegröße: TSOP
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 2.3A
Maximale Betriebstemperatur: +150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.4W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 6
Produkt Typ: Leistungs-MOSFET
Serie: TrenchFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 2.3A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = TSOP
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 188mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1.4W
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Höhe = 1mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein