Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 1.1 A 1.25 W, 6-Pin SC-88

Name: Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 1.1 A 1.25 W, 6-Pin SC-88
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SI1967DH-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DP8CRL-DR3GCT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 790mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 2.6nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 8V
Gehäusegröße: SC-88
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 1.1A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.25W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 6
Produkt Typ: Leistungs-MOSFET
Serie: TrenchFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 1.1A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = SC-88
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 790mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Betriebstemperatur min. = 150°C
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Höhe = 1mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein