Vishay Isoliert TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8 A 3.2 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

20mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

20.5nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-20, -16, +16, +20V

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

8A

Maximale Betriebstemperatur

+150°C