Vishay Isoliert Si4599DY Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6.8 A 3.1 W, 8-Pin SOIC

Name: Vishay Isoliert Si4599DY Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6.8 A 3.1 W, 8-Pin SOIC
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SI4599DY-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DP8CR8-DR3GDH

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.045Ω
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 25nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): -20, +20V
Gehäusegröße: SOIC
Kabelkanaltyp: Typ N, Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 6.8A
Maximale Verlustleistung (Pd): 3.1W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: Si4599DY

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 6.8A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.045Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 3.1W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.55mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein