Vishay IRFS9N60A N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

750mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

49nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-30, +30V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

9.2A