Vishay IRF830A N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 5 A 3.1 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

500V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.4Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

24nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-30, +30V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5A