Vishay IRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 3.7 W, 3-Pin TO-263

Name: Vishay IRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 3.7 W, 3-Pin TO-263
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRF510SPBF

Produkt-Nr.: P-DRCGNF-DRMX8G

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 540mΩ
Durchlassspannung (Vf): 2.5V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 8.3nC
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 5.6A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 3.7W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: IRF

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 5.6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 540mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 8.3nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 10.67mm
Automobilstandard = Nein