Vishay Einfach SQM Typ P-Kanal 1 TrenchFET Leistungs-MOSFET 60 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.0067Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.5V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 270nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 120A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 375W
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- TrenchFET Leistungs-MOSFET
- Serie
- SQM
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Produkt Typ = TrenchFET Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 120A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = TO-263
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.0067Ω
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 270nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Breite = 0.41 inin
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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