Vishay Einfach IRF620S N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 200 V / 5.2 A 50 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.8Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

14nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5.2A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

50W