Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 850 V / 6 A 33 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Entleerung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

850V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.35Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

54nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30V

Gehäusegröße

TO-220

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

6A