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Vishay EF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 95 A 521 W, 3-Pin TO-247AC

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIHG026N60EF-GE3

Produkt-Nr.: P-DRGFMF-DRXXTN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Entleerung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.023Ω
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
63nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
30V
Gehäusegröße
TO-247AC
Kabelkanaltyp
N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
95A

Produktbeschreibung

MOSFET

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