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Vishay EF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 40 A 236 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIHK055N60EF-T1GE3

Produkt-Nr.: P-CZGJSZ-CZRWKR

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Entleerung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.05mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
90nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
20V
Gehäusegröße
PowerPAK 10 x 12
Kabelkanaltyp
N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
40A

Produktbeschreibung

MOSFET

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