Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 800V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 205mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 48nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 17.4A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 179W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- E
Produktbeschreibung
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über ein D2PAK-Gehäuse (TO-263) mit 17,4 A Ableitstrom.Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg Niedrige effektive Kapazität (Co(er)) Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Lawinenenergie (UIS)
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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