Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 89 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 208mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 15nC
- Gehäusegröße
- PowerPAK 8 x 8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 12A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 89W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- E
Produktbeschreibung
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über ein 8 x 8-Gehäuse mit PowerPAK und einer einzigen Konfiguration.Technologie der 4. Generation der E-Serie Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg Niedrige effektive Kapazität (Co(er)) Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Lawinenenergie (UIS)
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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