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Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 89 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIHH240N60E-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DRBZ8G-DRYHFL

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
208mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
15nC
Gehäusegröße
PowerPAK 8 x 8
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
12A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über ein 8 x 8-Gehäuse mit PowerPAK und einer einzigen Konfiguration.Technologie der 4. Generation der E-Serie Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg Niedrige effektive Kapazität (Co(er)) Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Lawinenenergie (UIS)

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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