Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 850 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

850V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.35Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

11nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30V

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4.4A