Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 2.9 A 62.5 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

800V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.9Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30V

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2.9A