Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 800V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 304mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 35nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 30V
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 13A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 156W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- Leistungs-MOSFET
- Serie
- E
Produktbeschreibung
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über ein D2PAK-Gehäuse (TO-263) mit 13 A Ableitstrom.Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg Niedrige effektive Kapazität (Co(er)) Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Lawinenenergie (UIS)
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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