Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 32 A 184 W, 4-Pin PowerPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 70mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 42nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 30V
- Gehäusegröße
- PowerPAK
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 32A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 184W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- Leistungs-MOSFET
- Serie
- E
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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