Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 800V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.35Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 16.5nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 30V
- Gehäusegröße
- JEDEC TO-220AB
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4.4A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 62.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- Leistungs-MOSFET
- Serie
- E
Produktbeschreibung
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg Niedrige effektive Kapazität (Ziss) Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Ultraniedrige Gatterladung (Qg) Lawinenenergie (UIS) Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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