Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 8-Pin 8x8LR

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.084Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

63nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30V

Gehäusegröße

8x8LR

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

51A