Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 48 A 278 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Entleerung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.043Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 98nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 30V
- Gehäusegröße
- PowerPAK 10 x 12
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 48A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 278W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Leistungs-MOSFET
- Serie
- E
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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