Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 650 V / 24 A 250 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.145Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

122nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

24A

Maximale Betriebstemperatur

+150°C