Vishay Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Dual-N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET 30 V / 100 A 48.1 W, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.0032Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.7nC

Gehäusegröße

PowerPAIR 3 x 3FS

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

48.1W