Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A 3.4 W, 8-Pin SO-8

Name: Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A 3.4 W, 8-Pin SO-8
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SI4559ADY-T1-E3

Produkt-Nr.: P-DP53V7-DRSTXN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.58Ω
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 6nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 20V
Gehäusegröße: SO-8
Kabelkanaltyp: Typ P, Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 5.3A
Maximale Verlustleistung (Pd): 3.4W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: TrenchFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 5.3A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SO-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.58Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 3.4W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 5mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein