Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 3.1 W, 8-Pin TSOP

Name: Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 3.1 W, 8-Pin TSOP
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SI5515CDC-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DP8VT2-DRSTS6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 20V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 7.5nC
Gehäusegröße: TSOP
Höhe: 1mm
Kabelkanaltyp: Typ P, Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 4A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 3.1W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: TrenchFET
Transistor-Konfiguration: Doppelt

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = TSOP
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 3.1W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein