Vishay Doppelt TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 3.9 A 1.4 W, 6-Pin TSOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.195

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

3.2nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

12V

Gehäusegröße

TSOP

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

3.9A

Maximale Betriebstemperatur

150°C