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Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 70 V Erweiterung / 32.5 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SiZ254DT-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DRC2GD-DRMVPZ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
70V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.0161Ω
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
13nC
Gehäusegröße
PowerPAIR 3 x 3 S.
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
32.5A
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
33W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 32.5A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 70V
Gehäusegröße = PowerPAIR 3 x 3 S.
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.0161Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 13nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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