Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 70 V Erweiterung / 32.5 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 70V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.0161Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 13nC
- Gehäusegröße
- PowerPAIR 3 x 3 S.
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 32.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 33W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- TrenchFET
- Transistor-Konfiguration
- Doppelt
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 32.5A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 70V
Gehäusegröße = PowerPAIR 3 x 3 S.
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.0161Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 13nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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