Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 7 A 4 W, 8-Pin SO-8

Name: Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 7 A 4 W, 8-Pin SO-8
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SQ4946CEY-T1_GE3

Produkt-Nr.: P-DRC2GR-DRR8BN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 40mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 11.7nC
Gehäusegröße: SO-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 7A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 4W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: TrenchFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 7A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SO-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 40mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 11.7nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = AEC-Q101
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101