Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 69.3 A 31 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.00856Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

8.4nC

Gehäusegröße

PowerPAIR 3 x 3 S.

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

69.3A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

31W