Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 258 A 74 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.00245Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 18.5nC
- Gehäusegröße
- PowerPAIR 6 x 5F
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 258A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 74W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- TrenchFET
- Transistor-Konfiguration
- Doppelt
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 258A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = PowerPAIR 6 x 5F
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.00245Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 74W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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